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Official data from INPI

FOTODETECTOR UTILIZANDO FILMES DE DIÓXIDO DE ESTANHO NANOESTRUTURADO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO

ArquivadaInvention Patent

Application data

Number

PI1003418

Type

Invention Patent

Filing

09/14/2010

Publication

08/11/2015

Progress at the INPI

  1. Filing09/14/10
  2. Publication08/11/15
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned: the INPI technical office action was not answered in time (art. 36 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 03/17/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

U. B. (pessoa física)

BA, BR

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Inventors

A. B. (pessoa física)

BR

A. O. (pessoa física)

BR

F. C. (pessoa física)

BR

M. F. (pessoa física)

BR

N. M. (pessoa física)

BR

Technical data

Abstract

FOTODETECTOR UTILIZANDO FILMES DE DIÓXIDO DE ESTANHO NANOESTRUTURADO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO Em um primeiro aspecto, a presente invenção trata da obtenção de um filme nanoestruturado de dióxido de estanho por meio da técnica de pulverização química assistida por temperatura, cuja propriedade da fotossensibilidade da resistência elétrica do filme para o espectro de luz visível é condicionada, utilizando-se um circuito eletrônico microcontrolado, para desenvolver as funcionalidades de um fotodetector. Os filmes de dióxido de estanho nanoestruturado são depositados utilizando-se uma solução de pulverização foi feita a partir da diluição de tetracloreto de estanho pentahidratado (SnCl4.5H20) em álcool etílico (C2HsOH); a solução é pulverizada a um fluxo de nitrogênio com pressão e temperatura controladas. Em um segundo aspecto, a invenção se refere a um circuito condicionador da propriedade de fotossensibilidade da resistência elétrica do filme, o qual consiste em um circuito em ponte em conjunto com um filtro "passa-baixa", utilizado para converter a variação da resistência elétrica do filme de dióxido de estanho nanoestruturado em um sinal de tensão elétrica. Em um terceiro aspecto, a invenção se refere ao desenvolvimento de um fotodetector com uma maior sensibilidade no espectro de luz visível quando comparados aos fotodetectores comerciais por utilizar o referido filme de dióxido de estanho nanoestruturado depositado segundo a técnica da presente invenção, devido à propriedade da fotossensibilidade da resistência elétrica do filme

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI

#11.2

03/17/2020

RPI 2567

Exigência preliminar (variante)

#6.22

10/22/2019

RPI 2546

8.7

09/10/2019

RPI 2540

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 9ª anuidade.

07/09/2019

RPI 2531

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

04/10/2018

RPI 2466

8.7

04/11/2017

RPI 2414

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

referente ao despacho 8.5 na RPI 2336 de 13/10/2015

02/07/2017

RPI 2405

8.5

Complementar a retribuição da(s) 5a. anuidade(s), de acordo com tabela vigente, referente à(s) guia(s) de recolhimento 22140948868-8.

10/13/2015

RPI 2336

Publicação do pedido de patente

#3.1

08/11/2015

RPI 2327

Pedido de patente depositado

#2.1

05/24/2011

RPI 2107

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