(11) 98705-3426
TrademarkIQ iconTrademarkIQ
Back to search
Official data from INPI

ARRANJO DE ELEMENTOS EMISSORES DE LUZ SEMICONDUTORES E MÉTODO EM FABRICAÇÃO DO MESMO

Em AnáliseInvention PatentPCT · JP2008002956

Application data

Number

PI0823194

Type

Invention Patent

Filing

10/17/2008

Publication

06/23/2015

PCT

JP2008002956

Progress at the INPI

  1. Filing10/17/08
  2. Publication06/23/15
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

Talk to a specialist

Latest action published by the INPI: 05/23/2017. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

N. U. (pessoa física)

JP

See this company's full portfolio

Inventors

J. M. (pessoa física)

JP

K. H. (pessoa física)

JP

S. H. (pessoa física)

JP

T. F. (pessoa física)

JP

Technical data

IPC Classification

Abstract

ARRANJO DE ELEMENTOS EMISSORES DE LUZ SEMICONDUTORES E MÃTODO DE FABRICAÃÃO DO MESMO. A presente invenção refere-se a elementos emissores com superfície semicondutora que possuem uma pluralidade de comprimentos de onda que são fabricados em um substrato de sinal através de desenvolvimento seletivo por MOVPE. Mais especificamente, fornece-se um arranjo de elementos emissores de luz semicondutores que compreende; um substrato de cristal semicondutor; uma película isolante disposta em uma superfície do substrato, sendo a película isolante dividida em duas ou mais regiões, cada uma das quais possui duas ou mais aberturas que expõem a superfície do substrato; hastes semicondutoras que se estendem a partir da superfície do substrato para cima através de aberturas, sendo que as hastes semicondutoras, cada uma, possuem uma camada semicondutora do tipo n e uma camada semicondutora do tipo p que são laminadas em sua direção de extensão, desse modo, fornecendo uma junção p-n; um primeiro eletrodo conectado ao substrato de cristal semicondutor; e um segundo eletrodo conectado à s partes superiores das hastes semicondutoras; em que as alturas das hastes semicondutoras, conforme medidas a partir da superfície do substrato variam por cada uma das duas ou mais regiões.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Transferência indeferida

#25.2

Indeferido o pedido de transferência contido na petição 020110134512 de 21/12/2011,conforme disposto no art. 59 da Lei 9279 de 14/05/1996, pelo fato do pedido de patente ter sidoarquivado definitivamente na RPI 2366 de 10/05/2016.

05/23/2017

RPI 2420

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2329 de 25-08-2015 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

05/10/2016

RPI 2366

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente às 6ª e 7ª anuidades.

08/25/2015

RPI 2329

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

06/23/2015

RPI 2320

Alteração de dados cadastrais

#1.1

11/22/2011

RPI 2133

Patent monitoring

Track this patent in real time.

Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.