(11) 98705-3426
TrademarkIQ iconTrademarkIQ
Back to search
Official data from INPI

MÉTODO PARA PRODUZIR UM DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ ALGAINP DE CHIP ARTICULADO DE FILME DELGADO O QUAL INCLUI UMA CAMADA DE CONTATO TIPO P FINA ALTAMENTE DOPADA, E, DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ

ArquivadaInvention PatentPCT · IB2008055315

Application data

Number

PI0819933

Type

Invention Patent

Filing

12/15/2008

Publication

02/26/2019

PCT

IB2008055315

Progress at the INPI

  1. Filing12/15/08
  2. Publication02/26/19
  3. Examination
  4. Allowance12/15/20
  5. Abandoned
  6. In force

The application was allowed on 12/15/2020 but abandoned for failure to pay the grant fee (art. 38 of the Brazilian IP Act). The letters patent were never issued.

Talk to a specialist

Latest action published by the INPI: 09/08/2021. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

NL

KONINKLIJKE PHLIPS ELECTRONICS N.V.

NL

LUMILEDS HOLDING B.V.

NL

LUMILEDS LLC

US

PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC

US

See this company's full portfolio

Inventors

J. E. (pessoa física)

US

M. K. (pessoa física)

US

P. G. (pessoa física)

US

R. A. (pessoa física)

US

Technical data

Priority claims

US

11/956984 · 12/14/2007

Abstract

MÉTODO, E, DISPOSITIVO É descrito um dispositivo emissor de luz AlGaInP que é formado como um dispositivo de chip articulado fino. O dispositivo inclui uma estrutura semicondutora compreendendo uma camada de emissão de luz AlGaInP (24) disposta entre uma região tipo n (22) e uma região tipo p (26). Con-tos n e p (34, 32) eletricamente conectados nas regiões tipo n e p são ambos formados no mes-mo lado da estrutura semicondutora. A estrutura semi condutora é conectada no apoio (40) via os contatos. O substrato de crescimento é removido da estrutura semi condutora e o substrato transparente espesso é omitido, de maneira tal que a espessura total das camadas semicondu-toras no dispositivo seja menor que 15 (Mi)m em algumas modalidades, menor que 10 (Mi)m em algumas modalidades. O lado superior da estrutura semicondutora pode ser texturizado.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Adição na publicação

#15.35

09/08/2021

RPI 2644

Arquivamento - Art. 38 §2° da LPI

#11.4

03/30/2021

RPI 2621

Deferimento

#9.1

12/15/2020

RPI 2606

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

07/07/2020

RPI 2583

Transferência deferida

#25.1

02/11/2020

RPI 2562

Transferência deferida

#25.1

01/28/2020

RPI 2560

Exigência preliminar

#6.21

09/03/2019

RPI 2539

Alteração de nome deferida

#25.4

05/14/2019

RPI 2523

Alteração de sede deferida

#25.7

04/09/2019

RPI 2518

Alteração de nome deferida

#25.4

03/19/2019

RPI 2515

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

03/19/2019

RPI 2515

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

02/26/2019

RPI 2512

Alteração de dados cadastrais

#1.1

08/30/2011

RPI 2121

Patent monitoring

Track this patent in real time.

Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.