(11) 98705-3426
TrademarkIQ iconTrademarkIQ
Back to search
Official data from INPI

MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO COM HETEROJUNÇÃO DE MASSA

ArquivadaInvention PatentPCT · US2005012928

Application data

Number

PI0508779

Type

Invention Patent

Filing

04/13/2005

Publication

09/04/2007

PCT

US2005012928

Progress at the INPI

  1. Filing04/13/05
  2. Publication09/04/07
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 04/13/2005 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.

Talk to a specialist

Latest action published by the INPI: 06/15/2010. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

T. U. (pessoa física)

US

See this company's full portfolio

Inventors

F. Y. (pessoa física)

US

M. S. (pessoa física)

US

S. F. (pessoa física)

US

Technical data

IPC Classification

Priority claims

US

10/824.288 · 04/13/2004

US

10/999.716 · 11/30/2004

Abstract

MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO COM HETEROJUNÇÃO DE MASSA. Um método de fabricação de um dispositivo optoeletrônico que consiste em: depósito de uma primeira camada com protrusões sobre um primeiro eletrodo, em que a primeira camada consiste em um primeiro material de molécula pequena orgânica; depósito de uma segunda camada na primeira camada, de modo que a segunda camada esteja em contato físico com a primeira camada; em que a dimensão lateral menor das protrusões tem entre 1 a 5 vezes o comprimento de difusão de éxciton do primeiro material de molécula pequena orgânica; e depósito de um segundo eletrodo sobre a segunda camada para formar o dispositivo optoeletrônico. Também é fornecido um método de fabricação de um dispositivo optoeletrônico orgânico com uma heterojunção de massa e consiste em: depósito de uma primeira camada com protrusões sobre um eletrodo por reposição orgânica em fase vapor; depósito de uma segunda camada sobre a primeira camada em que a interface das primeira e segunda camadas forma uma heterojunção de massa; e depósito de outro eletrodo sobre a segunda camada.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

06/15/2010

RPI 2058

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

12/22/2009

RPI 2033

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

09/04/2007

RPI 1913

Patent monitoring

Track this patent in real time.

Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.