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Official data from INPI

MEDIDOR DE JUNÇÕES SEMICONDUTORAS PORTÁTIL

Arquivada/ExtintaInvention Patent

Application data

Number

PI0402165

Type

Invention Patent

Filing

05/21/2004

Publication

01/03/2006

Progress at the INPI

  1. Filing05/21/04
  2. Publication01/03/06
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 01/15/2013. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

J. T. (pessoa física)

PR, BR

Inventors

J. T. (pessoa física)

BR

Technical data

IPC Classification

Abstract

"MEDIDOR DE JUNÇÕES SEMICONDUTORAS PORTÁTIL". A presente invenção refere-se a um dispositivo eletrônico portátil de baixo consumo operado por baterias capaz de medir tensões diretas e reversas de junções semicondutoras para fins de reconhecimento ou avaliação do estado de componentes semicondutores diversos. Este dispositivo permite que diversos dispositivos semicondutores utilizados na indústria e oficinas de manutenção de produtos eletrônicos possam ser facilmente testados ou até mesmo identificados quanto à natureza elétrica dos mesmos sem a necessidade de se adquirir os caros e complexos sistemas convencionais de medição de junções de bancada, uma vez que os multímetros convencionais disponíveis no mercado, de baixo custo, normalmente apresentam apenas um sistema rudimentar de medição de junções, cobrindo apenas as medidas de polarização direta de baixa tensão. O princípio de funcionamento desta invenção está baseado na utilização de um sistema eletrônico elevador de tensão, o qual, através de um oscilador acoplado a um mini-conversor chaveado eleva a tensão nominal de uma bateria de poucos volts para diversas dezenas de volts. Essa tensão é aplicada a um voltímetro permitindo a medição de tensões reversas de junções semicondutoras que ultrapassem dezenas de volts como diodos Zener, Diacs, diodos de silício, germânio ou shottky, VCEO de transistores, etc.. Esta invenção pode ser acoplada a um voltímetro convencional ou incorporada ao projeto de um multímetro tornando-o mais sofisticado, dispensando neste caso o uso deste dispositivo como acessório.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.

01/15/2013

RPI 2193

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente às 4ª, 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidades.

05/29/2012

RPI 2160

Publicação do pedido de patente

#3.1

01/03/2006

RPI 1826

Pedido de patente depositado

#2.1

10/19/2004

RPI 1763

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