Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.
10/30/2012
RPI 2182
Application data
Number
PI0401114Type
Filing
Publication
The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 10/30/2012. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
C. M. (pessoa física)
SP, BR
Inventors
A. O. (pessoa física)
BR
A. P. (pessoa física)
BR
S. T. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
"PROCESSOS PARA A PRODUÇÃO DE PENTÓXIDO E DE MONÓXIDO DE NIÓBIO EM PÓ CONTENDO UMA QUANTIDADE CONTROLADA DE VANÁDIO, PENTÓXIDO E MONÓXIDO DE NIÓBIO EM PÓ CONTENDO UMA QUANTIDADE CONTROLADA DE VANÁDIO E CAPACITOR MANUFATURADO COM MONÓXIDO DE NIÓBIO EM PÓ". A presente invenção refere-se aos processos de produção de óxidos de nióbio (pentóxido - Nb~ 2~0~ 5~, dióxido - NbO~ 2~ e monóxido - NbO) de elevada pureza, elevada superfície específica, adequada porosidade e morfologia apropriada contendo uma quantidade controlada de vanádio (V). O pentóxido de nióbio contendo uma quantidade controlada de V pode ser obtido por co-precipitação, impregnação, deposição ou mistura. Este óxido de nióbio pode ser posteriormente reduzido a monóxido de nióbio (NbO) contendo uma quantidade controlada de vanádio. Esta redução pode ser feita em uma única etapa ou em duas etapas de redução. No primeiro caso, o Nb~ 2~0~ 5~ contendo vanádio é reduzido diretamente a NbO, utilizando-se como redutores o hidrogênio (H~ 2~) e um metal reativo. No segundo caso, o Nb~ 2~0~ 5~ contendo uma quantidade controlada de vanádio é reduzido a dióxido de nióbio (NbO~ 2~) com um gás redutor, que posteriormente é reduzido a NbO, através do uso de um metal reativo em atmosfera de H~ 2~. As partículas primárias de NbO contendo uma quantidade controlada de vanádio, produzidas pelo presente processo, são de tamanho controlado, têm elevada área superficial, porosidade e morfologia apropriada para a produção de capacitores com alta capacitância e baixa corrente de fuga.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.
10/30/2012
RPI 2182
#8.6
Referente às 6ª, 7ª e 8ª anuidades.
05/29/2012
RPI 2160
#3.1
11/22/2005
RPI 1820
#2.1
07/13/2004
RPI 1749
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