ESTRUTURA DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR (CFET), E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR (CFET)

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ESTRUTURA DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR (CFET), E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR (CFET). É divulgado um transistor de efeito de campo complementar (CFET) formado a partir de transistores de material 2D empilhados. Os transistores de material 2D são formados a partir de dicalcogeneto de metal de transição (TMD), que são semicondutores atomicamente finos. Os transistores TMD empilhados permitem corrente de acionamento aprimorada e capacitância de comutação mais baixa, ambas as quais são desejáveis. Adicionalmente, são revelados: estrutura de transistor de efeito de campo complementar (CFET), e, método para fabricação de uma estrutura de transistor de efeito de campo complementar (CFET) relacionados.