MEMÓRIA COM VARREDURA DE ESTRESSE DE TENSÃO DINÂMICA EFICIENTE CONTROLADA POR ENTRADAS ASSÍNCRONAS

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Abstract

MEMÓRIA COM VARREDURA DE ESTRESSE DE TENSÃO DINÂMICA EFICIENTE CONTROLADA POR ENTRADAS ASSÍNCRONAS.É provida uma memória configurada para praticar um modo de repouso sem retenção, em que tanto um arranjo de células de bit quanto uma periferia de memória são desligados em resposta a uma afirmação do modo de repouso sem sinal de controle de retenção. O modo de repouso sem sinal de controle de retenção é também afirmado durante uma varredura de DVS para desligar o arranjo de células de bit. A memória inclui um circuito de gerenciamento de potência que responde a uma afirmação de um sinal de controle de varredura de DVS para impedir que a afirmação do modo de repouso sem sinal de controle de retenção cause um desligamento da periferia de memória durante a varredura de DVS. A periferia de memória pode, dessa forma, ser completamente testada pela varredura de DVS devido ao fato de que a corrente de vazamento do arranjo de células de bit é impedida pelo desligamento do arranjo de células de bit.