Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 20/10/2021, observadas as condições legais
05/05/2026
RPI 2887
Application data
Number
112023010283Type
Filing
Publication
PCT
CN2021124804 The patent was granted on 05/05/2026 and is in force until 10/20/2041. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:10/20/2041
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Applicants
I. C. (pessoa física)
US
Inventors
A. G. (pessoa física)
US
E. M. (pessoa física)
US
J. F. (pessoa física)
US
Y. M. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
17/124,458 · 12/16/2020
Abstract
ESTRUTURA SEMICONDUTORA E MÉTODO PARA FORMAR UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA INCLUINDO CONTATOS ENVOLVENTES. Um revestimento metálico depositado conformemente usado para formar estruturas de contato envolventes discretas está localizado entre pares de estruturas de portão e abaixo dos topos das estruturas de portão. O padrão de máscara de bloco é empregado para proteger os transistores sobre as regiões ativas de um substrato enquanto as porções do revestimento metálico entre as regiões ativas são removidas. Uma técnica de chanfradura é empregada para remover seletivamente outras porções do revestimento metálico dentro das regiões ativas. Revestimentos de silicieto metálico formados nas regiões de fonte/dreno usando o revestimento metálico depositado de forma conformada são eletricamente conectados ao metal de contato de fonte/dreno após a deposição e padronização de uma camada dielétrica e subsequente metalização.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 20/10/2021, observadas as condições legais
05/05/2026
RPI 2887
#9.1
04/07/2026
RPI 2883
#6.23
10/14/2025
RPI 2858
#1.3.1
Retificado o item (54)
07/25/2023
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#1.3
06/27/2023
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#1.1
06/06/2023
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