Parecer de pré-exame
#6.23
07/21/2026
RPI 2898
Application data
Number
112023010090Type
Filing
Publication
PCT
CN2021129585 The INPI issued a technical opinion on patentability. The applicant must respond for examination to continue.
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Applicants
I. C. (pessoa física)
US
Inventors
I. O. (pessoa física)
US
K. B. (pessoa física)
US
L. Y. (pessoa física)
US
W. W. (pessoa física)
US
Y. K. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
17/121,379 · 12/14/2020
Abstract
ELEMENTO DE MEMÓRIA VOLÁTIL DE CONDUÇÃO MISTA PARA GRAVAÇÃO ACELERADA DE DISPOSITIVO MEMRISTIVO NÃO VOLÁTIL.Uma estrutura de memória analógica e métodos de gravação em tal estrutura são fornecidos. A estrutura de memória analógica inclui um elemento de memória volátil em série com um elemento de memória não volátil. A estrutura de memória analógica pode alterar a resistência mediante a aplicação de uma voltagem. Isso pode permitir a gravação acelerada da estrutura de memória analógica.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#6.23
07/21/2026
RPI 2898
#1.3
06/27/2023
RPI 2738
#1.1
06/06/2023
RPI 2735
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