MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE VIA ATRAVÉS DE SILÍCIO EM DISPOSITIVOS QUÂNTICOS PLANARES

IPC Classification

Priority claims

Abstract

FABRICAÇÃO DE VIA ATRAVÉS DE SILÍCIO EM DISPOSITIVOS QUÂNTICOS PLANARES. Em uma primeira camada supercondutora (316) depositada em uma primeira superfície de um substrato (312), um primeiro componente de um ressonador é padronizado. Em uma segunda camada supercondutora (326) depositada em uma segunda superfície do substrato (312), um segundo componente do ressonador é padronizado. A primeira superfície e a segunda superfície são dispostas em relação uma à outra em uma disposição não coplanar. No substrato, um recesso é criado, o recesso se estendendo da primeira camada supercondutora para a segunda camada supercondutora. Em uma superfície interna do recesso, uma terceira camada supercondutora (322) é depositada, a terceira camada supercondutora formando um caminho supercondutor entre a primeira camada supercondutora e a segunda camada supercondutora. O excesso de material da terceira camada supercondutora é removido da primeira superfície e da segunda superfície, formando um uma via através de silício (TSV) completa(320).