Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/08/2018, observadas as condições legais
11/21/2023
RPI 2759
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Official data from INPI
DISPOSITIVO AMPLIFICADOR DE BAIXO RUÍDO (LNA) E MÉTODO PARA CONSTRUIR UM DISPOSITIVO AMPLIFICADOR DE BAIXO RUÍDO
ConcedidaInvention PatentPCT · US2018048128
Application data
Number
112020005696Type
Invention Patent
Filing
08/27/2018
Publication
10/20/2020
PCT
US2018048128 Progress at the INPI
- Filing08/27/18
- Publication10/20/20
- Examination
- Allowance10/17/23
- Grant11/21/23
- In force08/27/38
The patent was granted on 11/21/2023 and is in force until 08/27/2038. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/27/2038
Latest action published by the INPI: 11/21/2023. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
S. G. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
15/976,710 · 05/10/2018
US
62/564,155 · 09/27/2017
Abstract
Um dispositivo de amplificador de baixo ruído (LNA) inclui um primeiro transistor em um semicondutor em camada de isolamento (SOI). O primeiro transistor inclui uma região de origem, uma região de drenagem, e uma porta. O dispositivo de LNA também inclui um contato de porta do primeiro lado acoplado à porta. O dispositivo de LNA ainda inclui um contato de origem do segundo lado acoplado à região de origem. O dispositivo de LNA também inclui um contato de drenagem do segundo lado acoplado à região de drenagem.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Deferimento
#9.1
10/17/2023
RPI 2754
Parecer de pré-exame
#6.23
07/04/2023
RPI 2739
Adição na publicação
#15.35
11/23/2021
RPI 2655
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
10/20/2020
RPI 2598
Alteração de dados cadastrais
#1.1
10/06/2020
RPI 2596
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