DIODO EMISSOR DE LUZ E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

A presente invenção diz respeito a um diodo emissor de luz com uma camada de óxido de zinco e um método de fabricação do mesmo. O diodo emissor de luz inclui: uma estrutura emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora tipo condutividade baseada em nitreto de gálio, uma segunda camada semicondutora tipo condutividade baseada em nitreto de gálio, e uma camada ativa entreposta entre estas; e uma camada de eletrodo transparente de ZnO disposta na segunda camada semicondutora tipo condutividade, em que a camada de eletrodo transparente de ZnO compreende uma camada semente de ZnO e uma camada volumosa de ZnO formada na camada semente de ZnO, em que a camada volumosa de ZnO é porosa em comparação com a camada semente de ZnO, em que uma interface entre a camada semente de ZnO e a segunda camada semicondutora tipo condutividade é mais plana do que uma interface entre a camada semente de ZnO e a camada volumosa de ZnO, e em que a interface entre a camada semente de ZnO e a camada volumosa de ZnO tem uma forma côncavo-convexa irregular.