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Official data from INPI

AMPLIFICADOR DE DETECÇÃO DE CORRENTE TRAVADA DIFERENCIAL DE CANCELAMENTO DE COMPENSAÇÃO DE TRANSISTOR DE MOS

ConcedidaInvention PatentPCT · US2017052068

Application data

Number

112019005755

Type

Invention Patent

Filing

09/18/2017

Publication

06/11/2019

PCT

US2017052068

Progress at the INPI

  1. Filing09/18/17
  2. Publication06/11/19
  3. Examination
  4. Allowance12/05/23
  5. Grant02/06/24
  6. In force09/18/37

The patent was granted on 02/06/2024 and is in force until 09/18/2037. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.

Protection valid until:09/18/2037

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Latest action published by the INPI: 02/06/2024. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY

KR

QUALCOMM TECHNOLOGIES, INC.

US

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Inventors

B. S. (pessoa física)

KR

J. K. (pessoa física)

US

S. J. (pessoa física)

KR

S. K. (pessoa física)

US

T. N. (pessoa física)

KR

Technical data

Priority claims

US

15/274,034 · 09/23/2016

Abstract

São providos amplificadores de detecção (SAs) de corrente travada (CLSAs) de zona morta de detecção zero (ZS) de cancelamento de compensação (OC) (OCZS-SAs) de transistor de semicondutor de óxido metálico (MOS), para detecção de voltagens diferenciais. Um OCZS-SA é configurado para amplificar as voltagens diferenciais de entrada de dados e de referência, recebidas com uma voltagem de compensação de amplificador de detecção menor para fornecer margem de detecção maior entre estados de armazenamento diferentes de célula(s) de bits de memória. O OCZS-SA é configurado para cancelar as voltagens de compensação de transistores de entrada e de entrada de complemento, e manter os transistores de entrada e de entrada de complemento em seus estados ativados durante as fases de detecção, de modo que a detecção não seja realizada em suas zonas mortas quando sua voltagem de porta para fonte (Vgs) estiver abaixo de suas respectivas voltagens de limiar. Em outros aspectos, capacitores de amplificadores de detecção são configurados para armazenar diretamente as voltagens de entrada de dados e de referência nas portas de transistores de entrada e de entrada de complemento durante fases de captura de voltagem para evitar área de leiaute adicional que de outra forma seria consumida com circuitos de capacitor de detecção, adicionais.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 18/09/2017, observadas as condições legais

02/06/2024

RPI 2770

Deferimento

#9.1

12/05/2023

RPI 2761

Parecer de pré-exame

#6.23

06/20/2023

RPI 2737

Adição na publicação

#15.35

10/05/2021

RPI 2648

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

06/11/2019

RPI 2527

Alteração de dados cadastrais

#1.1

04/02/2019

RPI 2517

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