Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 08/08/2017, observadas as condições legais
04/04/2023
RPI 2726
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Official data from INPI
DISPOSITIVO FINFET DO TIPO N E MÉTODO DE FABRICAR UM DISPOSITIVO FINFET DO TIPO N
ConcedidaInvention PatentPCT · US2017045972
Application data
Number
112019004441Type
Invention Patent
Filing
08/08/2017
Publication
05/28/2019
PCT
US2017045972 Progress at the INPI
- Filing08/08/17
- Publication05/28/19
- Examination
- Allowance01/03/23
- Grant04/04/23
- In force08/08/37
The patent was granted on 04/04/2023 and is in force until 08/08/2037. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/08/2037
Latest action published by the INPI: 04/04/2023. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
S. E. (pessoa física)
US
U. R. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
15/264,519 · 09/13/2016
Abstract
Crescimento epitaxial seletivo é usado para formar uma região de dreno/fonte heteroestruturada para preencher um recesso gravado em uma aleta de silício para um dispositivo FinFET tipo n.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Deferimento
#9.1
01/03/2023
RPI 2713
Parecer de pré-exame
#6.23
07/12/2022
RPI 2688
Adição na publicação
#15.35
09/21/2021
RPI 2646
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
05/28/2019
RPI 2525
Alteração de dados cadastrais
#1.1
03/26/2019
RPI 2516
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