Application data
Number
112019002959Type
Filing
Publication
PCT
US2017047747 The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 10/11/2022. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
S. E. (pessoa física)
US
U. R. (pessoa física)
US
Y. C. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
15/245,777 · 08/24/2016
Abstract
Dispositivos de Transistor de efeito de campo (FET) empregando um layout de largura de porta simulada/porta ativa assimétrica são revelados. Em um aspecto exemplificador, uma célula FET é fornecida que inclui um dispositivo FET tendo uma porta ativa, uma região de fonte e uma região de dreno. A célula FET também inclui uma estrutura de isolamento compreendendo uma porta simulada sobre um intervalo de difusão localizado adjacente a uma entre a região de fonte e a região de dreno. A célula FET tem um layout de largura de porta simulada/porta ativa assimétrica em que uma largura da porta ativa é maior que uma largura da porta simulada adjacente. A largura aumentada da porta ativa fornece controle de porta aumentado e a largura diminuída da porta simulada aumenta isolamento da porta simulada, desse modo reduzindo vazamento sub-limiar através da porta simulada.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2685 de 21-06-2022 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
10/11/2022
RPI 2701
#8.6
Referente à 5ª anuidade.
06/21/2022
RPI 2685
#15.35
09/21/2021
RPI 2646
#1.3
05/21/2019
RPI 2524
#1.1
02/26/2019
RPI 2512
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