ESTRUTURAS DE DISPOSITIVO DE CIRCUITO INTEGRADO E TÉCNICAS DE FABRICAÇÃO DE FRENTE E VERSO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Arquiteturas de células de circuito integrado, incluindo tanto estruturas frontais como traseiras. Um ou mais de entre implante traseiro, deposição de semicondutor, deposição de dielétrico, metalização, padronização de deposição dielétrica, metalização, padronização de película e transferência de camada de nível de bolacha é integrado com o processamento frontal. Esse processamento de frente e verso pode implicar a revelação de um lado traseiro de estruturas fabricadas a partir de um lado frontal de um substrato. Conjuntos de substrato hospedeiro-dador podem ser construídos para apoiar e proteger estruturas frontais durante o processamento traseiro. Dispositivos frontais, tais como FETs, podem ser modificados e/ou interligados durante o processamento traseiro. Dispositivos traseiros, tais como FETs, podem ser integrados a dispositivos frontais para expandir a funcionalidade do dispositivo, melhorar o desempenho ou aumentar a densidade do dispositivo.