TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, MÉTODO PARA FABRICAR O MESMO, ELEMENTO DE EXIBIÇÃO, DISPOSITIVO DE EXIBIÇÃO E SISTEMA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Um método é fornecido para fabricar um transistor de efeito de campo que inclui uma camada de isolamento de porta e um eletrodo incluindo uma primeira película condutora e uma segunda película condutora sucessivamente laminadas sobre uma superfície predeterminada da camada de isolamento de porta. O método inclui as etapas de formar uma película de óxido incluindo elemento A, que é um metal alcalino terroso e um elemento B, que é pelo menos um dentre Ga, Sc, Y e um lantanídeo, como a camada de isolamento de porta; formar uma primeira película condutora que dissolve em uma solução alcalina orgânica sobre a película de óxido; formar uma segunda película condutora sobre a primeira película condutora; gravar a segunda película condutora com uma solução de gravação tendo uma taxa de gravação mais elevada para a segunda película condutora quando comparada com aquela para a primeira película condutora; e gravar a primeira película condutora com a solução alcalina orgânica usando a segunda película condutora como uma máscara.