DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES COM PORTAS DE CAMPO MAIS LARGAS PARA RESISTÊNCIA DE PORTA REDUZIDA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

A presente invenção refere-se a dispositivos semicondutores com portas de campo mais largas para resistência de porta reduzida. Em um aspecto, proporciona-se um dispositivo semicondutor que emprega uma porta. A porta é uma linha condutora disposta acima do dispositivo semicondutor para formar transistores correspondentes a regiões semicondutoras ativas. Cada região semicondutora ativa tem uma região de canal correspondente. As porções da porta disposta sobre cada região de canal são portas ativas, e porções não dispostas sobre a região de canal, porém que estão dispostas sobre regiões de óxido de campo, são portas de campo. Um diferencial de tensão entre cada porta ativa e uma fonte de cada transístor correspondente faz com que uma corrente flua em uma região de canal correspondente quando o diferencial de tensão exceder uma tensão limite. A largura de cada porta de campo é uma largura maior do que cada porta ativa. A largura maior das portas de campo resulta em resistência de porta reduzida em comparação com dispositivos com portas de campo mais estreitas.