Application data
Number
112017027135Type
Filing
Publication
PCT
US2016032540 The application was refused on 07/20/2021 and the appeal did not change the decision. The invention was never patented and the technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 07/20/2021. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
S. G. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
14/740,505 · 06/16/2015
Abstract
Estruturas de dispositivo semicondutor unidas e processos de fabricação de estrutura de dispositivo para evitar a necessidade de lâminas SOI em diversas aplicações de fabricação de dispositivo são revelados. Em alguns exemplos, múltiplas camadas de parada de gravaç?ões múltiplas são formadas no local durante a fabricação de uma estrutura de dispositivo ativo em uma lâmina de semicondutor de um invólucro. As camadas de parada de gravação são incorporadas em um processo de transferência de camada para possibilitar camadas de dispositivo ativo de alta qualidade e muito baixa espessura de espessura de lâminas substancialmente uniformes a serem separadas das lâminas de semicondutor do invólucro e unidas à lâminas de manuseio. Como um resultado, estes exemplos produzem alto desempenho e semicondutores ou dispositivos de baixa potência enquanto evita o alto custo de lâminas SOI.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Prejudicado o recurso(12.6) à Perda de Prioridade publicado na RPI 2496 de 06/11/2018, por perda de objeto, já que o pedido foi arquivado definitivamente nos termos do Art. 33 da LPI, sendo a notificação de tal ato efetuada na RPI 2536 de 13/08/2019.[130]
07/20/2021
RPI 2637
#11.1.1
08/13/2019
RPI 2536
#11.1
05/28/2019
RPI 2525
11/06/2018
RPI 2496
Vide e-parecer
09/04/2018
RPI 2487
#1.3
08/28/2018
RPI 2486
#1.1
04/03/2018
RPI 2465
Patent monitoring
Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.