PASTILHA DE CIRCUITO INTEGRADO E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

PASTILHA DE CIRCUITO INTEGRADO E MÃTODO DE FABRICAÃÃO DA MESMA.Modalidades da presente invenção fornecem uma pastilha de IC e um método de preparação da mesma a fim de resolver um problema em que um método de dissipação de calor usado atualmente de um chip de IC tem um efeito limitado em umaspecto de redução de uma temperatura de um ponto de calor em uma superfície do chip de IC. A pastilha de IC inclui uma subcamada (110, 211); um componente ativo (111, 212); uma camada de interconexão (112, 213) que cobre o componenteativo (111, 212), em que a camada de interconexão (112, 213) inclui múltiplas camadas de metal e múltiplas camadas dielétricas, as múltiplas camadas de metal e as múltiplas camadas dielétricas estão dispostas alternativamente, uma camada de metal cuja distância para o componente ativo é a maior nas múltiplas camadas de metal que inclui cabeamento de metal e uma área de soldagem de metal; e uma camada de dissipação de calor (109, 207), em que a camada de dissipação de calor (109, 207) cobre uma região acima da camada de interconexão, salvo uma posição que corresponde à área de soldagem de metal, a camada de dissipação de calor está localizada sobre uma camada de pacote, a camada de pacote inclui um material de empacotamento plástico e a camada de dissipação de calor inclui um material de isolamento elétrico cuja condutividade de calor é maior que um valor predefinido.