PROCESSO DE IMPLANTAÇÃO IÔNICA E SUBSTRATOS DE VIDRO DE ÍONS IMPLANTADOS

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Abstract

PROCESSO DE IMPLANTAÃÃO IÃNICA E SUBSTRATOS DE VIDRO DE IONS IMPLANTADOS. O invento diz respeito a um processo para aumentar a resistência aos riscos de um substrato de vidro pela implantação de íons de carga simples e carga múltipla, compreendendo a manutenção da temperatura da área do substrato de vidro sendo tratada a uma temperatura igual ou inferior à temperatura de transição vítrea do substrato de vidro, selecionando os íons a serem implantados entre os íons de Ar, He e N, definindo a voltagem de aceleração para a extração dos íons em um valor compreendido entre 5 kV e 200 kV e definindo a dosagem de íons em um valor compreendido entre 10^14 íons/cm2 e 2,5 x 10^17 íons/cm2 . O invento se refere ainda a substratos de vidro compreendendo uma área tratada pela implantação de íons de carga simples e carga múltipla de acordo com esse processo e respectivo uso para reduzir a probabilidade de riscos no substrato de vidro no contato mecânico.