DISPOSITIVO DE CIRCUITO COM UMA CAMADA INTERRUPÇÃO DE ATAQUE QUÍMICO, E MÉTODO PARA CRIAR UM CIRCUITO EMPILHADO COM UMA CAMADA DE INTERRUPÇÃO DE ATAQUE QUÍMICO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Trata-se de uma pilha de múltiplos níveis de células de memória que tem uma camada de óxido de alumínio (AlOx) como uma camada de HiK nobre para fornecer seletividade de interrupção de ataque químico. Cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória. O circuito inclui uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS serve para fornecer um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis. O circuito também inclui uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha. A camada de AlOx é disposta entre a camada de fonte e a camada poli-SGS e fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado para criar um canal para acoplar eletricamente as células de memória à camada de fonte.