DISPOSITIVO SEMICONDUTOR

IPC Classification

Abstract

RESUMOPatente de Invenção: "DISPOSITIVO SEMICONDUTOR". A presente invenção refere-se a um primeiro dispositivo semicondutor descrito pela especificação inclui um substrato semicondutor que inclui uma região de anodo e uma região de catodo. A região de anodo inclui uma primeira região de primeiro tipo de condutividade com uma concentração máxima de impureza do primeiro tipo de condutividade a uma posição que está a uma primeira profundidade de uma superfície do substrato semicondutor e uma segunda região de primeiro tipo de condutividade com uma concentração máxima de impureza do primeiro tipo de condutividade a uma posição que está a uma segunda profundidade, e sobre uma superfície lateral do substrato semicondutor em vez da primeira profundidade, e uma terceira região fornecida entre a primeira região e a segunda região, e que tem uma concentração de impureza do primeiro tipo de condutividade, que é igual ou inferior a 1/10 (um décimo) de uma concentração de impureza da superfície do substrato semicondutor.