DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA COM CÉLULAS DE MEMÓRIA DE ACESSO ALEATÓRIO MAGNÉTICA (MRAM) E ESTRUTURAS ASSOCIADAS PARA CONECTAR AS CÉLULAS DE MRAM

IPC Classification

Priority claims

Abstract

RESUMO"DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA COM CÉLULAS DE MEMÓRIA DE ACESSO ALEATÓRIO MAGNÉTICA (MRAM) E ESTRUTURAS ASSOCIADAS PARA CONECTAR AS CÉLULAS DE MRAM"Trata-se de um dispositivo de memória inclui uma camada magnética que inclui uma pluralidade de células de memória de acesso aleatório magnética (MRAM), uma primeira camada condutora, uma camada que inclui uma tira que conecta células de MRAM incluídas na pluralidade de células de MRAM, e uma segunda camada condutora. A primeira camada condutora inclui uma porção condutora eletricamente conectada a pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM, e uma linha de campo configurada para gravar dados na pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM. A segunda camada condutora inclui uma interconexão condutora eletricamente conectada a pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM, em que a camada magnética é disposta entre a primeira camada condutora e a segunda camada condutora. Pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM é diretamente fixada à segunda camada condutora e à tira.