PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CARBONETO DE SILÍCIO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

PROCESSO DE FABRICAÃÃO DE CARBONETO DE SILÃCIO. A invenção se refere a um processo de fabricação de SiC no qual as emissões de gases poluentes são minimizadas, por redução de óxido de silício por um excesso de carbono, o dito processo consistindo em aquecer eletricamente uma resistência dentro de uma mistura de matérias primas que consistem em uma fonte carbonada escolhida entre os coques de petróleo e uma fonte de silício, notadamente uma sílica de pureza superior a 95 % em SiO2, para levar, a uma temperatura superior a 1500ºC, à reação simplificada: SiO2 + 3C = SiC + 2CO (1), o dito processo se caracterizando pelo fato de que a dita fonte carbonada é submetida previamente a um tratamento de eliminação do hidrogênio contido, de tal modo que seu teor elementar em hidrogênio (TEMH) seja inferior a 2 % em peso.