PROCESSO PARA PRODUÇÃO DE UMA DESCARGA DE PLASMA COM UMA DENSIDADE DE CORRENTE DE DESCARGA E INSTALAÇÃO DE PULVERIZAÇÃO DE MAGNETRON.

IPC Classification

Priority claims

Abstract

(57) Abstract: The invention relates to a magnetron sputtering process that allows material to be sputtered from a target surface in such a way that a high percentage of the sputtered material is provided in the form of ions. According to the invention, said aim is achieved using a simple generator, the power of which is fed to multiple magnetron sputtering sources spread out over several time intervals, i.e. the maximum power is supplied to one sputtering source during one time interval, and the maximum power is supplied to the following sputtering source in the subsequent time interval, such that discharge current densities of more than 0.2A/cm2 are obtained. The sputtering target can cool down during the off time, thus preventing the temperature limit from being exceeded.(57) Zusammenfassung:TraduçãoRESUMOPatente de Invenção: "FONTE DE PULVERIZAÇÃO DE ALTA POTÊNCIA.A presente invenção refere-se a um processo de pulverização de magnetrônio, com o qual é possível pulverizar material de uma superfície de target [alvo] de tal modo que o material pulverizado se apresenta em um alto percentual na forma de íons. De acordo com a invenção, isso é obtido por meio de um simples gerador, cuja potência, distribuída em intervalos de tempo, é alimentada a várias fontes de pulverização, isto é, uma fonte de pulverização é abastecida com potência máxima por um intervalo de tempo e a fonte de pulverização seguinte é abastecida com potência máxima no intervalo de tempo subsequente. Dessa maneira, são realizadas densidades de corrente de descarga maiores do que 0,2A/cm2. Durante o tempo desli-gado, o target [alvo] de pulverização tem a possibilidade de esfriar, de modo que o limite de temperatura não é excedido.