Application data
Number
112013014581Type
Filing
Publication
PCT
US2011062805 The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 01/21/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
D. C. (pessoa física)
US
Inventors
A. D. (pessoa física)
US
C. H. (pessoa física)
US
D. K. (pessoa física)
US
J. W. (pessoa física)
US
M. M. (pessoa física)
US
R. L. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
61/424,120 · 12/17/2010
Abstract
MÃTODO PARA A FABRICAÃÃO DE UM DIORGANO-DI-HALOSSILANOA presente invenção refere-se a um método para a fabricação de um diorgano-di-halossilano que contata um organo-tri-halossilano de acordo com a fórmula RSiX3 (I) com hidrogênio na presença de um catalisador metálico compreendendo pelo menos dois metais e em uma temperatura de 300 a 800°C para formar um diorgano-di-halossilano, no qual R é C1-C10 hidrocarbila, X é halo, e dois dos pelo menos dois metais são escolhidos dentre pelo menos um de (i) cobre e paládio, (ii) cobre e ouro, (iii) de Ãndio e irÃdio ou (iv) de irÃdio e rênio.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2543 de 01-10-2019 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
01/21/2020
RPI 2559
#8.6
10/01/2019
RPI 2543
#1.3
Publicação automática código 1.3 conforme Comunicado RPI 2542, de 24/9/2019.
09/24/2019
RPI 2542
#1.1
07/26/2016
RPI 2377
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