MÉTODO PARA PRODUZIR CAMADA DE ÓXIDO CRISTALINO EM SUBSTRATO DO COMPOSTO As-III, Sb-III OU P-III SEMICONDUTOR CONTENDO In, SUBSTRATO E USO DO SUBSTRATO

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Abstract

MÉTODO PARA PRODUZIR CAMADA DE ÓXIDO CRISTALINO EM SUBSTRATO, SUBSTRATO E USO DO SUBSTRATO. A presente invenção refere-se a um método para tratar um substrato do composto semicondutor, em cujo método, sob condições de vácuo, uma superfície de um substrato de As-III, Sb-III ou P-III contendo In é limpa do óxido nativo amorfo e, depois disso, o substrato limpo é aquecido a uma temperatura de aproximadamente 250 a 550 C e oxidado pela introdução do gás oxigênio sobre a superfície do substrato. A invenção refere-se também a um substrato do composto semicondutor, e o uso do substrato em uma estrutura de um transitor tal como MOSFET.