Official data from INPI

PROCESSO DE DOPAGEM DE UM MATERIAL SEMICONDUTOR

Arquivada/ExtintaInvention PatentPCT · FR2011000385

Talk to an expert

Application data

Number

112013001064

Type

Invention Patent

Filing

07/01/2011

Publication

05/24/2016

PCT

FR2011000385

View on INPI

Progress at the INPI

Filing07/01/11
Publication05/24/16
Abandoned
Allowance
Grant
In force

The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

Talk to a specialist

Latest action published by the INPI: 08/21/2018. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

A. S. (pessoa física)

Siltronix

Inventors

E. F. (pessoa física)

H. L. (pessoa física)

J. S. (pessoa física)

M. F. (pessoa física)

R. E. (pessoa física)

Technical data

IPC Classification

C30B 11/04

Priority claims

10/03009 · 07/16/2010

Abstract

PROCESSO DE DOPAGEM DE UM MATERIAL SEMICONDUTOR. A presente invenção refere-se a uma carga (4) em material semicondutor é colocada em um cadinho (1). Um recipiente sacrificial (5) fechado contendo um material dopante (6) é colocado no cadinho (1). O conteúdo do cadinho (1) é fundido, acarretando a incorporação do dopante no banho de material fundido. A elevação em temperatura é realizada sob uma pressão reduzida.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2469 de 02-05-2018 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

08/21/2018

RPI 2485

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 7ª anuidade.

05/02/2018

RPI 2469

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

04/10/2018

RPI 2466

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

05/24/2016

RPI 2368

Alteração de dados cadastrais

#1.1

12/31/2013

RPI 2243

From the same holder

PROCESSO DE PRODUÇÃO DE SILÍCIO CRISTALINO DE QUALIDADE FOTOVOLTAICA POR ACRÉSCIMO DE IMPUREZAS DOPANTES E CÉLULA FOTOVOLTAICA COMPOSIÇÃO DE PÓ METALÚRGICO E MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE COMPOSIÇÃO DE PÓ METALÚRGICO CADINHO PARA UM DISPOSITIVO PARA PRODUZIR UM BLOCO DE MATERIAL CRISTALINO E PROCESSO PARA SUA PRODUÇÃO

Same category

PP1101201 PP1101199 "COMPOSTO, PROCESSO PARA A PREPARAÇÃO DO SAL DE Na DO (-)-ENANTIOMERO DE OMEPRAZOL, PREPARAÇÃO FARMACÉUTICA E USO DE UM COMPOSTO.PP1101197 PROTEÍNAS QUE LIGAM TNF PP1101194 DERIVADOS CONDENSADOS DO BENZOPIRROL COMO ANTAGONISTAS RECEPTORES DO 5-HT4 PP1101192

Explore category

Patent monitoring

Track this patent in real time.

Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.