MATERIAL AMORFO SEMICONDUTOR TIPO P BASEADOS EM ÓXIDOS DE COBRE, ÓXIDOS ESTANHO, ÓXIDOS DE LIGAS DE ESTANHO-COBRE E RESPECTIVA LIGA METÁLICA, E ÓXIDO DE NÍQUEL, COM OS RESPECTIVOS METAIS EMBEBIDOS, E SEU PROCESSO DE FABRICO

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Abstract

LIGAS DE ÓXIDOS TIPO P BASEADOS EM ÓXIDOS DE COBRE, ÓXIDOS ESTANHO, ÓXIDOS DE LIGAS DE ESTANHO-COBRE E RESPECTIVA LIGA METÁLICA, E ÓXIDO DE NÍQUEL, COM OS RESPECTIVOS METAIS EMBEBIDOS, RESPECTIVO PROCESSO DE FABRICO E UTILIZAÇÃO O presente invento relaciona-se com filmes finos compreendendo monóxidos não estequiométricos de: cobre (OCU2) x com cobre metálico cúbico (CUcy) embebido [OCU2) x+ (CU1-2) y, onde 0,05>x 2, onde 0.05< a <1 e 0,01<b<0,9]; e de níquel (ONi) x com espécies de Ni e Sn embebidas [ (O-Ni) a+ (Ni ALFA-Sn BETA) b com 0<ALFA<2 e 0<BETA<2, onde 0,05<a<1 e 0.01<b<0,9] ou suas combinações, de estrutura amorfa ou nanocristalina ou policristalina, dopados ou não, com impurezas como zircónio, azoto ou flúor, para a fabricação de dispositivos CMOS ou TFT, de matrizes ativas para LCD ou OLED, fabrico de circuitos lógicos, entre outros, usando substratos rígidos ou flexíveis, em que se usa uma camada de proteção como o SU8 ou equivalente, ou filmes de óxidos de silício ou nitreto de silício, para encapsulamento.