Reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo

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Abstract

REATOR DE DEPOSIÃÃO DE VAPOR QUÃMICO INTENSIFICADO POR PLASMA DE PLACA PARALELA COM ACOPLAMENTO CAPACITIVOA presente invenção refere-se a um reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo que compreende uma unidade de distribuição de gás que é integrada a um eletrodo de RF e que compreende uma saída de gás. O objetivo da presente invenção é fornecer um reator de placa paralela do tipo referido com o qual camadas com alta homogeneidade de espessura e qualidade podem ser produzidas. O objetivo é resolvido por um reator de deposição de vapor intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo do tipo mencionado em que a unidade de distribuição de gás compreende uma cabeça de chuveiro de múltiplos estágios construída de tal maneira que fornece um ajuste independente de distribuição de gás e perfil de emissão de gás da unidade de distribuição de gás.