Application data
Number
112012007699Type
Filing
Publication
PCT
JP2010005978 The patent was granted on 02/04/2020 and later terminated. Protection ended before the full term and the technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 11/21/2023. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
C. K. (pessoa física)
JP
Inventors
M. K. (pessoa física)
JP
Y. Y. (pessoa física)
JP
Y. O. (pessoa física)
JP
IPC Classification
Priority claims
JP
2009-235087 · 10/09/2009
Abstract
DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO. São descritas uma porção de conversão fotoelétrica, uma porção de retenção de carga, uma porção de transferência e um nó de detecção que são formados em um poço tipo P. A porção de retenção de carga é configurada para incluir uma região semicondutora tipo N, que é uma primeira região semicondutora que retém cargas em uma porção diferente da porção de conversão fotoelétrica. Uma região semicondutora tipo P com uma maior concentração do que o poço tipo P é disposta dob a região semicondutora tipo N.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#24.10
Em virtude da extinção publicada na RPI 2743 de 01-08-2023 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
11/21/2023
RPI 2759
#21.6
Referente à 13ª anuidade.
08/01/2023
RPI 2743
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 06/10/2010, observadas as condições legais
02/04/2020
RPI 2561
#9.1
12/10/2019
RPI 2553
07/16/2019
RPI 2532
#6.6.1
01/08/2019
RPI 2505
#1.3
08/23/2016
RPI 2381
#1.1
12/05/2012
RPI 2187
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