DISPOSITIVO DE CAPTAÇÃO DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO, E, MÉTODO PARA FABRICAR O MESMO

IPC Classification

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Abstract

DISPOSITIVO DE CAPTAÇÃO DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO, E,MÉTODO PARA FABRICAR O MESMO. Um dispositivo de captação de imagem de estado sólido inclui uma parte de conversão fotoelétrica, uma parte de retenção de carga configurada para incluir uma primeira região semicondutora tipo primeira condutividade e uma parte de transferência, configurada para incluir um eletrodo de porta de transferência, que controla um potencial entre a parte de retenção de carga e um nó sensor. A parte de retenção de carga inclui um eletrodo de controle. Uma segunda região semicondutora tipo segunda-condutividade é disposta sobre uma superfície de uma região semicondutora entre o eletrodo de controle e o eletrodo de porta de transferência. Uma terceira região semicondutora tipo de primeira condutividade é disposta sob a segunda região semicondutora. A terceira região semicondutora é disposta em uma posição mais profunda do que a primeira região semicondutora.