PROCESSO DE LIMPEZA DA SUPERFÍCIE DE UM SUBBSTRATO DE SILÍCIO

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Abstract

PROCESSO DE LIMPEZA DA SUPERFÃCIE DE UM SUBSTRATO DE SILÃCIO.A invenção refere-se um processo de limpeza da superfície de um substrato de silício, a referida superfície sendo recoberta de uma camada de óxido de silício. De acordo com a invenção, o processo compreende uma etapa a) de exposição da referida superfície a um plasma radiofrequência gerado de partir de um gás fluorado, produzindo a decapagem da camada de óxido de silício, e gerando a adsorção de elementos fluorados sobre a superfície do substrato de silício, a referida exposição sendo realizada durante uma duração compreendida entre 60 s e 900 s, a densidade de potência gerada com o plasma estando compreendida entre 10m W/cm2 e 350m W/cm2 , a pressão do gás fluorado estando compreen- dida entre 10m Torre 200m Torr, e a temperatura do substrato de silício sendo inferior ou igual a 300°C, e uma etapa b) de exposição da referida superfície compreendendo os elementos fluorados a um plasma radiofrequência de hidrogênio, para remover os referidos elementos fluorados da superfície do substrato, a referida exposição sendo realizada durante uma duração compreen- dida entre 5 s e 120 s, a densidade de potência gerada com o plasma estando compreendida entre 1 O mW/cm2 e 350m W/cm2 , a pressão de hidrogênio estando compreendida entre 10 m Torr 1 Torr, e a temperatura do substrato de silício sendo inferior ou igual a 300°C.