SEMICONDUTOR DE BANDA LARGA A BASE DE (NH4)2FE0,5NI0,5(SO4)2(H2O)6

IPC Classification

Abstract

SEMICONDUTOR DE BANDA LARGA A BASE DE (NH4)2FE0,5NI0,5(SO4)2(H2O)6. A presente invenção corresponde a um cristal inorgânico semicondutor com composição (NH4)2Fe0,5Ni0,5(SO4)2(H2O)6 obtido via evaporação isotérmica. O produto além de apresentar natureza semicondutora de banda larga com um gap em torno de 2,8 eV, exibe alta energia de rede entre suas moléculas, elevada entalpia de desidratação (aproximadamente 431,65 kJ/mol) e densidade energética significativa (2,08 GJ/m3). Tais propriedades, o tornam um candidato promissor para dispositivos que armazenam energia sob a forma de calor e sistemas de alta tecnologia. A amostra foi sintetizada utilizando 40 mL de água deionizada com razão molar de 2:1:1 dos compostos de partida (NH4)2SO4, NH4Fe(SO4)2(H2O)12 e NiSO4(H2O)7, respectivamente. Estes reagentes foram dispersos em meio aquoso sob agitação magnética com temperatura controlada, e em seguida a solução foi deixada em repouso em condições ambiente. Após 4 semanas, pequenos cristais prismáticos verdes foram obtidos com faceta definida, transparência óptica e poucos defeitos interfaciais. A metodologia de síntese permitiu obter sais hidratados cristalinos, com reprodutibilidade e fidedignidade do método. Adicionalmente, os cristais apresentaram propriedades estruturais, térmicas e eletrônicas de interesse comercial. Vale ressaltar, o baixo custo do processo e o caráter inovador da amostra, inerente a ocupação de íons Fe2+ e Ni2+ em um mesmo sítio na rede estrutural.