DISPOSITIVO RERAMS BASEADO EM GRAFENO E CONTATO DE ITON RECOZIDO COM DIFERENTES TEMPERATURAS

IPC Classification

Abstract

DISPOSITIVO ReRAMs BASEADO EM GRAFENO E CONTATO DE ITON RECOZIDO COM DIFERENTES TEMPERATURAS. A presente invenção se refere a um dispositivo de memória do tipo ReRAMs que é baseado em grafeno e contato de ITON recozido em diferentes temperaturas. Para a fabricação do dispositivo realizou-se uma deposição e caracterização dos materiais semicondutores, ou filmes finos. Na sequência, os dispositivos de memória foram fabricados e caracterizados. O dispositivo tem uma estrutura do tipo sanduíche, compreendendo pelo menos quatro camadas, uma camada inferior de substrato, que pode ser vidro, uma camada acima do substrato que pode ser de ITON, uma camada intermediária que pode ser de grafeno e uma última camada superior que pode ser de alumínio.