DISPOSITIVO DE MEMÓRIA E MÉTODO PARA REPARAR UMA MEMÓRIA

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Abstract

DISPOSITIVO DE MEMÓRIA E MÉTODO PARA REPARAR UMA MEMÓRIA. A presente invenção trata de Um dispositivo de memória que tem uma matriz de memória com múltiplas linhas de memória que têm endereços lógicos mapeados para seus endereços físicos e pelo menos uma linha sobressalente sem um endereço lógico mapeado para seu endereço físico. Um controlador detecta uma falha de uma das múltiplas linhas de memória (linha de falha) e executa um modo de reparo póspacote (PPR). O controlador pode ser interno ao dispositivo de memória ou externo ao dispositivo de memória. O dispositivo de memória inclui um scratchpad interno para permitir a transferência de conteúdo de dados da linha de falha para a linh sobressalente. O controlador pode mapear o endereço lógico da linha de falha do endereço físico da linha de falha para o endereço físico da linha sobressalente, transferir o conteúdo de dados da linha de falha para o scratchpad interno e transferir o conteúdo de dados do scratchpad interno para a linha sobressalente.