Invention Patent TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM ARQUITETURA VERTICAL E USO DO MESMO EM SENSORES de CNPEM - CENTRO NACIONAL DE PESQUISA EM ENERGIA E MATERIAIS — IPC H01L 51/10. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.
The patent was granted on 02/10/2026 and is in force until 02/10/2040. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:02/10/2040
Latest action published by the INPI: 02/10/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
CNPEM - CENTRO NACIONAL DE PESQUISA EM ENERGIA E MATERIAIS
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM ARQUITETURA VERTICAL EUSO DO MESMO EM SENSORES. A presente descrição se refere a um dispositivo tipo VOFET apresentando uma heterojunção de eletrodo de fonte (21) perfurado com eletrodo de dreno (11,12) constituído de NM auto-enrolada em forma tubular ou em forma de tubo colapsado. O dispositivo é fabricado com técnicas de fotolitografia e encontra uso no sensoriamento de diversos parâmetros, como pressão, umidade relativa do ar, incidência luminosa, componentes biológicos e componentes em gases.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 10/02/2020, observadas as condições legais
02/10/2026
RPI 2875
Deferimento
#9.1
01/27/2026
RPI 2873
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
07/01/2025
RPI 2843
Publicação do pedido de patente
#3.1
08/17/2021
RPI 2641
Pedido de patente depositado
#2.1
05/19/2020
RPI 2576
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870200019241' em 10/02/2020 11:14 (WB)
