ELEMENTO DE COMUTAÇÃO E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE ELEMENTO DE COMUTAÇÃO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

A presente invenção refere-se a um elemento de comutação (10) que inclui um substrato semicondutor (12) que inclui uma primeira camada semicondutora de tipo n (44), uma camada de corpo de tipo p (42) constituída por uma camada epitaxial e uma segunda camada semicondutora de tipo n (40) separada da primeira camada semicondutora de tipo n (44) pela camada de corpo (42), uma película de isolamento de porta (28) que cobre um intervalo através da superfície da primeira camada semicondutora do tipo n (44), a superfície da camada de corpo (42) e a superfície da segunda camada semicondutora do tipo n (40) e um eletrodo de porta (26) que faceia a camada de corpo (42) através da película isolante de porta (28). Uma interface (50) entre a primeira camada semicondutora de tipo n (44) e a camada de corpo (42) inclui uma superfície inclinada (52, 63). A superfície inclinada (52, 63) está inclinada de tal modo que a profundidade da camada de corpo (42) aumenta à medida que uma distância de uma extremidade (42a) da camada de corpo (42) aumenta em uma direção horizontal. A superfície inclinada (52, 63) está disposta abaixo do eletrodo de porta (26).