Invention Patent MEMÓRIAS RESISTIVAS BASEADAS EM GRAFENO DOPADO COM METAIS DE TRANSIÇÃO de FUNDAÇÃO UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC- UFABC — IPC G11C 13/00. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.
The patent was granted on 04/02/2024 and is in force until 05/31/2037. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:05/31/2037
Latest action published by the INPI: 04/02/2024. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Nova estrutura de dispositivo de memória resistiva para aplicação na indústria de dispositivos semicondutores, microeletrônica, computação neuromórfica e eletrônica em geral, a qual é baseada em grafeno dopado com metais de transição; trata-se de um dispositivo que toma como base o óxido de grafeno (GO) com a estrutura ITO/CuO/GO/ CuO/Al, sendo o presente dispositivo fabricado pela técnica de dip coating, contendo camadas da memória com estrutura específica do tipo: ITO/CuO/GO + 1% Ag/ CuO/Al; Al/CuO /GO + 1% Ag/CuO/Al; ITO/GO + 1% Ag /Al; ITO/CuO /GO + 0,1% Ag/CuO/Al; ITO/GO + 0,1% Ag /Al; ITO/CuO/GO + 1% Cu/ CuO/Al; ITO/CuO/GO + 1% Fe/ CuO/Al; e ITO/GO + 1% Cu/Al.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 31/05/2017, observadas as condições legais
04/02/2024
RPI 2778
Deferimento
#9.1
02/06/2024
RPI 2770
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
11/07/2023
RPI 2757
Publicação do pedido de patente
#3.1
12/18/2018
RPI 2502
Pedido de patente depositado
#2.1
08/29/2017
RPI 2434
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870170036782' em 31/05/2017 17:28 (WB)
