LASER DE ESTADO SÓLIDO DE ALTA EFICIÊNCIA E QUALIDADE DE MODO BOMBEADO LATERALMENTE.

IPC Classification

Abstract

Um laser de estado sólido de alta eficiência bombeado lateralmente por díodo semicondutor que causa uma região de absorção dentro do meio ativo. A boa sobreposição desta área com o modo transversal fundamental do laser confere altíssima eficiência ao laser. Um mecanismo de estreitamento espectral do bombeamento gera uma mais alta absorção dentro do meio ativo com perfil mais parecido a uma exponencial quando comparado com um diodo que não possui este dispositivo. O estreitamento espectral da emissão do diodo faz corn que não existem frequências de bombeamento fora do máximo de absorção do cristal, as quais são menos absorvidas e promovem o transporte de uma fração importante de energia para regiões mais longes da superfície e mais profundas do cristal. A região de bombeamento assim delimitada espacialmente garante que nem para potências de bombeamento muito elevadas as regiões fora da área de sobreposição acumulam suficientemente energia para permitir a oscilação de modos transversais de ordem maior, mantendo a alta qualidade de feixe laser até potências muito elevadas. A melhor delimitação espacial do bombeamento garante uma mais perfeita sobreposição corn o feixe laser, inclusive em potências mais altas, aferindo maior potência e urna maior eficiência ao dispositivo. A tecnologia se aplica de maneira especialmente vantajosa a meios lasers de estado-sólido com absorção moderada, mas também demonstrou resultados excelentes em meios de altíssima absorção.