The patent was granted on 10/26/2021 and is in force until 10/28/2035. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:10/28/2035
Latest action published by the INPI: 10/26/2021. We update with every new RPI gazette, published weekly.
APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR MOSFET compreendido por um transistor mosfet formado por uma porta de metal e óxido de silício, caracterizado pelo mosfet ser constituído por corpos duplos simétricos independentes dotados de três terminais portas e duas Fonte/Dreno, estas conectadas cada uma em seu respectivo corpo, sendo que as duas Fonte/Dreno conectadas permanentemente ao terminal do corpo correspondente.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 28/10/2015, observadas as condições legais
10/26/2021
RPI 2651
Deferimento
#9.1
08/17/2021
RPI 2641
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
03/30/2021
RPI 2621
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
10/30/2018
RPI 2495
Publicação do pedido de patente
#3.1
07/11/2017
RPI 2427
15.7
Ref. a Petição 800150288842 de 04/11/2015 de acordo com Art. 219 Inciso II da LPI.
07/04/2017
RPI 2426
Pedido de patente depositado
#2.1
06/13/2017
RPI 2423
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '018150010212' em 28/10/2015 15:00 (SP)
