MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE TRANSISTOR

IPC Classification

Abstract

ResumoTransistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricaçãoA presente invenção refere-se a transistor SOI MOSFET (Silicon On Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) e a seu método de fabricação a partir de uma lâmina SOI.O método de fabricação do transistor compreende as seguintes etapas:a. Ajuste da espessura da lâmina;b. Seleção da região ativa da lâmina;c. Corrosão completa da camada de óxido de silício superior;d. Formação do óxido de porta;e. Deposição do metal de porta;f. Definição do eletrodo de porta;g. Obtenção do eletrodo metálico nas regiões de fonte e dreno;h. Deposição de metal na superfície inferior do substrato;i. Sinterização do dispositivo;O transistor é composto por: eletrodo de porta (5), fonte (6), dreno (7), isolante de porta (4) e isolante enterrado (2), eletrodo de substrato (8), camada de silício (3), semicondutor (1). Como no método de fabricação não há uma etapa para inserção de impurezas que determinam o tipo de portador de carga majoritário (elétrons ou lacunas) que formaria a fonte/dreno, existe a possibilidade de criar uma camada contendo um ou outro tipo de portador dependendo da tensão aplicada no substrato.