SISTEMA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Trata-se de um método para fabricar uma célula de dispositivo semicondutor em uma superfície de uma camada semicondutora de carboneto de silício (SiC) que inclui formar uma fonte segmentada e um contato corporal (SSBC) da célula de dispositivo semicondutor na superfície da camada semicondutora de SiC. A SSBC inclui uma parte de contato corporal disposta na superfície da camada semicondutora e próxima a uma região de contato corporal da célula de dispositivo semicondutor, em que a parte de contato corporal está substancialmente disposta no centro da célula de dispositivo semicondutor. A SSBC também inclui pelo menos uma parte de fonte de contato disposta na superfície da camada semicondutora e próxima a uma região de contato de fonte da célula de dispositivo semicondutor, em que a pelo menos uma parte de fonte de contato circunda apenas parcialmente a parte de contato corporal da SSBC.