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Official data from INPI

SISTEMA DE TENSÃO DE REFERÊNCIA COMPENSADA EM TEMPERATURA E DE BAIXISSIMO CONSUMO DE POTÊNCIA BASEADA EM UMA ESTRUTURA SCM COM TRANSISTORES DE DIREFENTE TENSÃO DE LIMIAR

ConcedidaInvention Patent

Application data

Number

102014003547

Type

Invention Patent

Filing

02/14/2014

Publication

12/01/2015

Progress at the INPI

  1. Filing02/14/14
  2. Publication12/01/15
  3. Examination
  4. Allowance12/07/21
  5. Grant02/01/22
  6. In force02/14/34

The patent was granted on 02/01/2022 and is in force until 02/14/2034. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.

Protection valid until:02/14/2034

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Latest action published by the INPI: 02/01/2022. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

CENTRO NACIONAL DE TECNOLOGIA ELETRÔNICA AVANÇADA S.A

RS, BR

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Inventors

A. O. (pessoa física)

BR

F. P. (pessoa física)

BR

J. B. (pessoa física)

BR

Technical data

IPC Classification

Abstract

RESUMOSISTEMA DE TENSÃO DE REFERÊNCIA COMPENSADA EM TEMPERATURA E DE BAIXISSIMO CONSUMO DE POTÊNCIA BASEADA EM UMA ESTRUTURA SCM COM TRANSISTORES DE DIFERENTE TENSÃO DE LIMIAR A inovação proposta visa sanar os inconvenientes encontrados no estado da técnica propondo uma estrutura SCM (Self Cascode MOSFET) simples para gerar uma tensão de referência de sub-1V no nó intermédio do SCM. Distingue-se substancialmente das soluções já conhecidas no mercado, uma vez que requer apenas 2 transistores para criar uma tensão de referência com compensação de temperatura. Quando dimensionados corretamente, os transistores em nosso SCM irão operar em inversão fraca, moderada, ou forte, e na região de saturação ou saturação e tríodo, proporcionando boa correspondência e baixa variação parte-a-parte. A seguinte proposta traz a inovação de operar com tensões de alimentação sobre uma larga faixa de variação, desde 3.6V até abaixo de 1V (operação sub 1V), com fontes de corrente de polarização na faixa de dezenas de nA (nano Amperes), e variação em temperatura menor do que ±1% de -40°C a 85°C. Nossa inovação é uma implementação muito simples, de muito baixo custo (em termos de área e complexidade), compatível com processos de fabricação CMOS padrão, e robusta (face transferências de uma fábrica a outra, de uma tecnologia para outra, e também com poucas variações de uma peça para outra). 1/1

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 14/02/2014, observadas as condições legais

02/01/2022

RPI 2665

Deferimento

#9.1

12/07/2021

RPI 2657

Exigência preliminar

#6.21

08/03/2021

RPI 2639

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

11/13/2018

RPI 2497

Publicação do pedido de patente

#3.1

12/01/2015

RPI 2343

Pedido de patente depositado

#2.1

07/08/2014

RPI 2270

Exigência - art. 21 da LPI

#2.5

04/29/2014

RPI 2260

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo 860140017642 em 14/02/2014 04:03(WB).

02/25/2014

RPI 2251

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