Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 05/08/2013, observadas as condições legais
12/01/2020
RPI 2604
Application data
Number
102013019891Type
Filing
Publication
The patent was granted on 12/01/2020 and is in force until 08/05/2033. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/05/2033
Latest action published by the INPI: 12/01/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventors
D. L. (pessoa física)
US
J. M. (pessoa física)
US
S. A. (pessoa física)
US
T. J. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
13/567,791 · 08/06/2012
Abstract
MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, DISPOSITIVOS DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE ÓXIDO DE METAL (MOSFET) E SEMICONDUTOR. Trata-se de um dispositivo semicondutor e métodos para fabricar esse dispositivo. Em determinadas realizações, o dispositivo semicondutor inclui um eletrodo fonte formado com o uso de um metal que limita um deslocamento, tal como devido à instabilidade em temperatura e polarização, em uma tensão limite do dispositivo semicondutor durante a operação. Em determinadas realizações o dispositivo semicondutor pode ser baseado em carboneto de silício
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 05/08/2013, observadas as condições legais
12/01/2020
RPI 2604
Retifique-se, por incorreções no nome do inventor
09/24/2020
RPI 2594
#9.1
08/18/2020
RPI 2589
#6.21
03/03/2020
RPI 2565
#6.6.1
12/04/2018
RPI 2500
#3.8
Referente à RPI 2340 de 10/11/2015, quanto ao item (71).
12/08/2015
RPI 2344
#3.1
11/10/2015
RPI 2340
#2.1
03/18/2014
RPI 2254
#2.10
Número de Protocolo 18130026560 em 05/08/2013 03:57(SP).
02/25/2014
RPI 2251
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