Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 11/03/2013, observadas as condições legais
06/14/2022
RPI 2684
Application data
Number
102013005759Type
Filing
Publication
The patent was granted on 06/14/2022 and is in force until 03/11/2033. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:03/11/2033
Latest action published by the INPI: 06/14/2022. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
CIA. FERROLIGAS MINAS GERAIS - MINASLIGAS
MG, BR
INSTITUTO DE PESQUISAS TECNOLÓGICAS DO EST S. PAULO S/A IPT
SP, BR
Inventors
E. A. (pessoa física)
BR
J. N. (pessoa física)
BR
M. L. (pessoa física)
BR
T. R. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
PROCESSO DE PURIFICAÇÃO DE SILÍCIO POR MEIO DE SOLIDIFICAÇÃO CONTROLADA SOB CENTRIFUGAÇÃO refere-se a um processo de refino de silício no qual as impurezas são segregadas para uma região do material por meio de um processo de solidificação controlada sob centrifugação, ou seja, é promovida a centrifugação dosilício desde a fase em que ele se encontra totalmente líquido até a fase em que ele foi totalmente solodificado, utilizando intervalos de temperatura que ampliam a quantidade de metais precipitados e os localizam em regiões com facilidade de extração. Com a centrifugação associada ao tempo de solodificação substancialmente reduzido, o aporte de energia para controle de a solidificação ser eliminado e, ainda, a solidificação direcional sob centrifugação ser realizada com velocidades de avanço da interface de sólido-líquido entre 50 e 100 um/s, o processo permite promover o refino em tempo mais reduzido, quando comparado aos processos tradicionais de refino que empregam solodificação controlada do silício ou empregam somente a centrifugação, e ainda, uma fácil separação da região purificada da região rica em impurezas. O processo consiste na macrossegregação de solutos durante a solidificação direcional por centrifugação, caracterizao por a solidificação direcional ser realizada com velocidades de avanço da interface de sólido-líquido entre 50 e 100 um/s, o aporte de energia para controle de a solidificação ser elimado e o tempo de solidificação ser substancialmente reduzido, sendo promovida a centrifugação do silício desde a fase em que ele se encontra totalmente líquido até a fase em que ele foi totalmente solodificado, utilizando intervalos de temperatura que ampliam a quantidade de metais precipitados e os localizem em regiões com facilidade de entração. O material obtido no processo atinge níveis de impurezas metálicas suficientes para ser aplicado na produção de lingotes multicristalinos de silício a serem empregados na produção de células solares fotovoltaicas à base de silício
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 11/03/2013, observadas as condições legais
06/14/2022
RPI 2684
#9.1
04/12/2022
RPI 2675
03/15/2022
RPI 2671
#8.6
Referente à 9ª anuidade.
01/11/2022
RPI 2662
#6.1
09/08/2021
RPI 2644
#6.1
04/20/2021
RPI 2624
#7.1
12/08/2020
RPI 2605
#6.22
06/23/2020
RPI 2581
#6.6.1
03/27/2018
RPI 2464
#3.1
03/17/2015
RPI 2306
#2.1
12/31/2013
RPI 2243
#2.10
Número de Protocolo 18130007702 em 11/03/2013 03:15(SP).
05/07/2013
RPI 2209
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