UNIDADE DE ELEMENTO DE DIODO A LASER, E, MÉTODO PARA ACIONAR UMA UNIDADE DE ELEMENTO DE DIODO A LASER

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Abstract

UNIDADE DE ELEMENTO DE DIODO A LASER, E MÉTODO PARA ACIONAR UMA UNIDADE DE ELEMENTO DE DIODO A LASER.UMA UNIDADE DE ELEMENTO DE DIODO A LASER INCLUI: UM ELEMENTO DE DIODO A LASER; E UM REFLETOR DE LUZ, EM QUE O ELEMENTO DE DIODO A LASER INCLUI (a) UM CORPO DE ESTRUTURA LAMINADA CONFIGURADO POR LAMINAÇÃO, EM ORDEM, DE UMA PRIMEIRA CAMADA SEMICONDUTORA DO COMPOSTO DE UM PRIMEIRO TIPO DE CONDUTIVIDADE FEITA DE UM SEMICONDUTOR COMPOSTO BASEADO EM GaN, UMA TERCEIRA CAMADA SEMICONDUTORA DO COMPOSTO FEITA DE UM SEMICONDUTOR COMPOSTO BASEADO EM GaN E INCLUINDO UMA REGIÃO DE EMISSÃO DE LUZ, E UMA SEGUNDA CAMADA SEMICONDUTORA DO COMPOSTO DE UM SEGUNDO TIPO DE CONDUTIVIDADE FEITA DE UM SEMICONDUTOR COMPOSTO BASEADO EM GaN, O SEGUNDO TIPO DE CONDUTIVIDADE SENDO DIFERENTE DO PRIMEIRO TIPO DE CONDUTIVIDADE, (b) UM SEGUNDO ELÉTRODO FORMADO SOBRE A SEGUNDA CAMADA SEMICONDUTORA DO COMPOSTO, E (c) UM PRIMEIRO ELÉTRODO ELETRICAMENTE CONECTADO À PRIMEIRA CAMADA SEMICONDUTORA DO COMPOSTO, O CORPO DE ESTRUTURA LAMINADA INCLUI UMA ESTRUTRA DE LISTRA EM CRISTA, E UMA LARGURA MÍNIMA Wmin E UMA LARGURA MÁXIMA Wmàx DA ESTRUTRA DE LISTRA EM CRISTA SATISFAZENDO 1<Wmàx/Wmin<3,3 OU 6-<Wmàx/Wmin-<13,3.